大功率MOS管/IGBT驱动IC

半桥输出大功率MOS管/IGBT驱动IC型号工作电压静态电流I/O拉电流I/O灌电流上升时间下降时间开延时关延时封装 直接替换HM2006B10V-20V/高端工作电压120V150uA0.45A0.9A70nS60nS120nS120nSSOP-8替代电动车/平衡车分立元件方案HM210611V-30V/高端工作电压100V4.5mA0.8A1A400nS200nS300nS400nSSOP-8

  • 型号: 大功率MOS管/IGBT驱动IC

半桥输出大功率MOS管/IGBT驱动IC


型号

工作电压

静态
电流

I/O拉
电流

I/O灌
电流

上升
时间

下降
时间


延时


延时

封装 

直接替换

HM2006B

10V-20V/高端
工作电压120V

150uA

0.45A

0.9A

70nS

60nS

120nS

120nS

SOP-8

替代电动车/
平衡车分立元件方案

HM2106

11V-30V/高端
工作电压100V

4.5mA

0.8A

1A

400nS

200nS

300nS

400nS

SOP-8

低压版本IR2106/
IR2101

HM2103

11V-30V/高端
工作电压100V

4.5mA

0.8A

1A

400nS

200nS

300nS

400nS

SOP-8

低压版本IR2103/
IR2108

HM2103B

2.8V-20V/高端
工作电压600V

5uA

1.0A

1.5A

120nS

80nS

280nS

125nS

SOP-8

IR2103/IR2108

HM2101

10V-20V/高端
工作电压600V

150uA

0.3A

0.6A

90nS

40nS

20nS

20nS

SOP-8

IR2101/IR2106/IR2308

HM2101B

2.8V-20V/高端
工作电压600V

5uA

1.0A

1.5A

120nS

80nS

280nS

125nS

SOP-8

 IR2101/IR2106/IR2308

HM2103A
10V-20V/
耐压25V/
高端工作
电压600V
300uA
2.0A
2.5A
600nS
280nS
600nS
190nSSOP-8
3.3V/5V/15V输入逻辑兼容,输出电压在8V-
25V,内置9.3V欠压保护功能,防止功率管在
过低的电压下工作
HM2103F
10V-25V/
耐压35V/
高端工作
电压300V
300uA
1.2A
1.5A
200nS
154nS
72nS
15nS
SOP-8
3.3V/5V/15V输入逻辑兼容,内置9.3V欠压保
护功能,防止功率管在过低的电压下工作
HM2103E
8.0V-20V
耐压25V/
高端工作
电压250V
耐压275V
460uA
1.6A
2.3A
12nS
8nS
350nS
100nS
SOP-8
3.3V/5V输入逻辑兼容,高端输出与高端输入同相,低端输出与低端输入反相,内置6.7V欠压保护功能,防止功率管在过低的电压下工作;内置输入信号滤波,防止输入噪声干扰;内置直通防止和250nS死区时间,防止功率管发生直通,有效保护功率器件

HM2103C

10V-20V/高端
工作电压180V

300uA

1.0A

1.0A

15nS

15nS

150nS

50nS

SOP-8

3.3V/5V输入逻辑兼容,高端输出与高端输入同
相,低端输出与低端输入反相,内置欠压保护
功能,内置直通防止和100nS死区时间

HM2103D

4.0V-13.2V/
高端工作电压
40V,耐压50V

440uA

1.7A

2.3A

15nS

11nS

160nS

60nS

SOP-8

3.3V/5V输入逻辑兼容,内置多种防共态导通和
150nS死区时间

HM2104M

3.0V-21V/高
端工作电压
40V,耐压65V

400uA

1.2A

1.8A

30nS

20nS

140nS

70nS

MSOP-10

3.3V/5V输入逻辑兼容,死区时间可调,通过调
整外部电阻控制死区时间;带2.8V欠压保护,
防止功率管在过低电压下工作;集成使能关断
功能,能同时关断高低通道HO、LO输出;高
端输出与输入同相,低端输出与输入反相;工
作温度范围:-40-125℃

HM2007

3.3V-5.5V/
高端工作
电压24V

110uA

2.0A

2.0A

80nS

20nS

200nS

80nS

SOP-8
DFN2X2-8

支持3.3V CMOS电平,采用半桥达林顿管输出
结构,替代无线充电分立元件方案,大幅提高
良率,提高响应速度,可以应用于无线充产品



单通道大功率MOS管/IGBT驱动IC


型号

工作
电压

静态
电流

I/O
拉电流

I/O
灌电流

上升
时间

下降
时间

开延时

关延时

封装 

直接替换

HM2531

5V-18V

0.57mA

0.5A

0.5A

20nS

20nS

200nS

80nS

SOT-25

可推1200V 25A IGBT/可以驱
动IGBT/MOS管/继电器等各
种功率开关/输入信号与输出
信号同相位

HM2583
10V-20V
耐压25V
120uA
1.5A
1.5A




SOT-25
IRS44273
单通道低侧栅极驱动IC,兼容
3.3V/5V/12V PWM输入,输出
驱动由输入信号控制,带输入
9.2V欠压锁死功能,可以驱动
MOS管等各种功率开关

HM2117

3V-30V

2mA

1A

1.2A

80nS

20nS

200nS

80nS

SOP-8

兼容IR2117



三相半桥输出大功率MOS管/IGBT驱动IC


型号

VCC
工作
电压

高端
工作
电压

静态
电流

I/O拉
电流

I/O
灌电流

上升
时间

下降
时间

开延时

关延时

封装 

直接替换

HM6103F

4.5V-
20V
耐压
25V

300V

1.6mA

1.2A

1.5A

600nS

280nS

150nS

50nS

TSSOP-20

FD6287/FD6288独立的三相半桥驱动3.3V/5V/15V输入逻辑兼容,内置9.3V欠压保护功能,防止功率管在过低的电压下工作;内置直通防止和200nS死区时间,防止功率管发生直通,有效保护
功率器件;工作温度范围:-40-85℃